ニッケルブロック

ニッケルブロックは、高純度の金属ニッケルからなる緻密な固体材料です。半導体製造などのハイエンド分野では欠かせない重要な基礎原料です。

1.超高純度: 純度は99.995%(5N)～99.999%(5N5)の間で厳密に管理されています。このレベルの純度は半導体アプリケーションにとって重要であり、有害な不純物 (硫黄、リン、炭素、酸素など) を極めて低いレベル (ppm または ppb) に抑え、敏感なデバイスの汚染を防ぎ、チップのパフォーマンスと歩留まりを確保します。

2. 柔軟なサイズと重量のカスタマイズ: 当社は完全にカスタマイズされたサービスを提供し、特定の顧客のプロセスと装置の要件を満たすために必要な最大サイズと重量のニッケルインゴットを提供します。これにより、材料をさまざまな生産プロセスにシームレスに統合できます。

3.専門的な保護梱包: 当社では二重保護包装システムを採用しております。まず、ニッケルインゴットはプラスチックで密封され、物理的なバリアを形成し、輸送や保管中の表面の酸化、湿気、物理的な傷を効果的に防ぎます。外層は頑丈な木箱または密閉されたプラスチックドラムであり、強力な機械的サポートとクッション性を提供し、過酷な物流環境において製品が安全かつ無傷で到着することを保証します。

4. コアアプリケーション: 半導体製造: ニッケルインゴットは半導体産業チェーンで中心的な役割を果たしており、主に次の用途に使用されます。
--高純度スパッタリングターゲット原料：ベース原料として、ニッケルまたはニッケル基合金のスパッタリングターゲットを精密加工（溶解、鍛造、圧延、接合など）して物理蒸着（PVD）プロセス用のターゲットを形成します。これらのターゲットから堆積されたニッケル薄膜は、導電層、バリア層、コンタクト層、パッドなどの主要なチップ内部構造を構築するために使用されます。
--化学気相成長 (CVD/ALD) ソース材料: 特定の CVD または原子層成長 (ALD) プロセスでは、高純度ニッケルインゴットが前駆体として機能し、ウェーハ表面にニッケル薄膜を堆積する反応に関与します。
--蒸発源材料: 真空熱蒸着プロセスでは、ニッケルインゴットが蒸発源として機能し、ターゲットを加熱して基板上に直接ニッケル膜を堆積します。